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등록 애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법

애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법
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발명자
박미란, 권오균
출원번호
14220431 (2014.03.20)
공개번호
20140206130 (2014.07.24)
등록번호
8999744 (2015.04.07)
출원국
미국
협약과제
09MB2500, FTTH 고도화 광부품 기술개발, 오대곤
초록
Provided are an avalanche photodiode and a method of fabricating the same. The method of fabricating the avalanche photodiode includes sequentially forming a compound semiconductor absorption layer, a compound semiconductor grading layer, a charge sheet layer, a compound semiconductor amplification layer, a selective wet etch layer, and a p-type conductive layer on an n-type substrate through a metal organic chemical vapor deposition process.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
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