Registered
Inverter, NAND Gate and NOR Gate
- Inventors
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임도, Hwang Chi-Sun, Park Sang-Hee, Oh Himchan, Yoon Sung Min, Byoung Gon Yu, 박기찬, 오민우, 김병훈, 임홍균, 김지선, Jae-Eun Pi
- Application No.
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10-2011-0085561 (2011.08.26)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2012-0108894 (2012.10.05)
- Registration No.
- 10-1775563-0000 (2017.08.31)
- Country
- KOREA
- Project Code
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10MB3700, Development of core technology for high performance AMOLED on plastic,
Byoung Gon Yu
- Abstract
- 본 발명은 인버터, NAND 게이트 및 NOR 게이트에 관한 것으로서, 게이트에 인가되는 전압에 따라 제1 전원 전압을 출력단자로 출력하는 제2 박막 트랜지스터로 이루어지는 풀업부; 게이트에 인가되는 입력 신호에 따라 그라운드 전압을 출력단자로 출력하는 제5 박막 트랜지스터로 이루어지는 풀다운부; 및 상기 입력 신호에 따라 제2 전원 전압 또는 상기 그라운드 전압을 상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트에 인가하는 풀업 구동부를 포함한다.
- KSP Keywords
- NAND gate, NOR Gate