상세정보
등록 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드
- 출원번호
- 10-2011-0013514 (2011.02.16) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0094190 (2012.08.24)
- 등록번호
- 10-1211322-0000 (2012.12.05)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 10ZC1100, 메가컨버전스 핵심기술 개발, 함호상
- 초록
- 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드가 제공된다.본 발명에 따른 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법은 실리콘 기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자층을 적층하는 단계; 상기 소자층 상에 금속층을 적층하여 오믹(Ohmic) 컨택을 형성하는 단계; 상기 금속층을 포함하는 상기 질화갈륨 발광다이오드의 소자영역을 실리콘 희생기판으로부터 분리하여, 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 소자층 상에 투명 패시베이션층을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드는 플렉서블의 가요성에 기인하여, 종래의 질화갈륨 발광다이오드의 한계로 지적받았던 기판의 부정합, 고정성 등을 효과적으로 극복할 수 있다.