상세정보
등록 빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2011-0094568 (2011.09.20) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2012-0127166 (2012.11.21)
- 등록번호
- 10-1849268-0000 (2018.04.10)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 11MB2300, 고품위 Plastic AMOLED 원천기술 개발, 유병곤
- 초록
- 본 발명은 빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터의 전기적 특성, 양전압 신뢰성을 크게 저하시키지 않으면서 공정 온도를 높이지 않고, 특별한 원소를 첨가하지 않아도 광전압 신뢰성을 용이하고 간단하게 향상시키기 위해서, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며 산화물 반도체와 확산 방지막으로 이루어진 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부와 활성층을 포함하는 상부에 보호층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 확산 방지막은 홀의 이동을 저하시키고, 이온화된 산소 공공의 확산을 방지하기 위한 특성을 갖는 것을 특징으로 한다.
- KSP 제안 키워드
- Fabrication method, Highly stable, Thin-Film Transistor(TFT), thin film(TF)