등록
수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법
- 발명자
-
김성일, 문재경, 이상흥, 윤형섭, 민병규, 이종민, 남은수, 임종원
- 출원번호
-
13618873 (2012.09.14)
- 공개번호
-
20130134554 (2013.05.30)
- 등록번호
- 8853821 (2014.10.07)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
-
11ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구,
남은수
- 초록
- Provided are vertical capacitors and methods of forming the same. The formation of the vertical capacitor may include forming input and output electrodes on a top surface of a substrate, etching a bottom surface of the substrate to form via electrodes, and then, forming a dielectric layer between the via electrodes. As a result, a vertical capacitor with high capacitance can be provided in a small region of the substrate.
- KSP 제안 키워드
- Bottom surface, dielectric layer, high capacitance, input and output
- 패밀리
-