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상세정보

등록 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
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발명자
오힘찬, 황치선, 추혜용, 박상희, 피재은, 권오상, 엄인용, 유민기, 박은숙
출원번호
10-2012-0133471 (2012.11.23) KIPRIS
공개번호
10-2014-0066878 (2014.06.03)
등록번호
10-2086626-0000 (2020.03.03)
출원국
대한민국
협약과제
12VB1300, 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발, 추혜용
초록
소스 및 드레인 전극을 자기 정렬되도록 형성함으로써 동작 속도 및 안정성을 향상시키는 동시에 그 크기를 최소화할 수 있는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 활성층, 게이트 절연막 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 게이트층 상에 게이트 전극의 형상을 정의하기 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층, 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계, 식각된 기판 상에 방향성을 갖는 증착법으로 소스 및 드레인층을 증착하는 단계 및 상기 감광막 패턴을 제거하여 게이트 전극, 자기 정렬된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
KSP 제안 키워드
Fabrication method, Thin-Film Transistor(TFT), self-Aligned, thin film(TF)