BROWSE
Detail
Registered 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2012-0133471 (2012.11.23) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0066878 (2014.06.03)
- Registration No.
- 10-2086626-0000 (2020.03.03)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12VB1300, The core technology development of light and space adaptable new mode display for energy saving on 7inch and 2 W, Chu Hye Yong
- Abstract
- 소스 및 드레인 전극을 자기 정렬되도록 형성함으로써 동작 속도 및 안정성을 향상시키는 동시에 그 크기를 최소화할 수 있는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 활성층, 게이트 절연막 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 게이트층 상에 게이트 전극의 형상을 정의하기 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층, 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계, 식각된 기판 상에 방향성을 갖는 증착법으로 소스 및 드레인층을 증착하는 단계 및 상기 감광막 패턴을 제거하여 게이트 전극, 자기 정렬된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
- KSP Keywords
- Fabrication method, Thin-Film Transistor(TFT), self-Aligned, thin film(TF)