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등록 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법

저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법
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발명자
김경옥, 김상훈, 김인규, 장기석, 김선애, 오진혁
출원번호
13949081 (2013.07.23)
공개번호
20140048772 (2014.02.20)
등록번호
9171996 (2015.10.27)
출원국
미국
협약과제
12VB1600, 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술, 김경옥
초록
Provided is a silicon-wafer-based germanium semiconductor photodetector configured to be able to provide properties of high gain, high sensitivity, and high speed, at a relatively low voltage. A germanium-based carrier multiplication layer (e.g., a single germanium layer or a germanium and silicon superlattice layer) may be provided on a silicon wafer, and a germanium charge layer may be provided thereon, a germanium absorption layer may be provided on the charge layer, and a polysilicon second contact layer may be provided on the absorption layer. The absorption layer may be configured to include germanium quantum dots or wires.
KSP 제안 키워드
Absorption layer, Contact layer, Germanium photodetector, Germanium quantum dots, High Sensitivity, High Speed, Quantum Dot(QD), Silicon wafer, carrier multiplication, high gain, low voltage, photo detector
패밀리
 
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등록 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법 대한민국 KIPRIS
등록 저전압 고이득 고속 광 검출기 및 그의 제조방법 프랑스