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Detail
Registered 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
- Application No.
- 10-2012-0130550 (2012.11.16) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0063327 (2014.05.27)
- Registration No.
- 10-2013226-0000 (2019.08.16)
- Country
- KOREA
- Abstract
- 본 발명의 일 실시예에 따른 횡형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 제 1 도전형의 반도체 기판의 상부에 형성된 제 2 도전형의 드리프트 영역, 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 일 측면에 인접하도록 상기 제 1 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 제 1 에미터 전극, 상기 게이트 전극과 이격되며, 상기 게이트 전극의 타 측면에 인접하도록 상기 제 2 도전형의 반도체 기판 상에 배치되는 컬렉터 전극, 상기 게이트 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 배치되는 제 2 에미터 전극, 및 상기 제 2 도전형의 드리프트 영역 내에 상기 제 2 에미터 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에 형성된 트렌치 절연막을 포함한다.
- KSP Keywords
- Bipolar transistors, Insulated gate, Insulated gate bipolar transistor