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Registered 반도체 기판의 제조방법
- Application No.
- 10-2012-0152409 (2012.12.24) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0091093 (2014.07.21)
- Registration No.
- 10-1705726-0000 (2017.02.06)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12VB1500, Energy Efficient Power Semiconductor Technology for Next Generation Data Center, Eun Soo Nam
- Abstract
- 본 발명은 반도체 기판의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판의 가장자리를 둘러싸는 차단 패턴을 형성하는 단계와, 상기 차단 패턴을 제외한 상기 기판의 전면에 이완 층을 형성하는 단계와, 상기 이완 층 및 상기 차단 패턴 상에 에피 반도체 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 에피 반도체 층은 상기 차단 패턴 상에서부터 성장되지 않고, 상기 이완 층의 측벽 및 상부에 등방적으로 성장되는 선택적 등방성 성장방법에 의해 상기 차단 패턴을 점진적으로 덮을 수 있다.
- KSP Keywords
- semiconductor substrate
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | UNITED STATES |