본 발명에 따른 전계방출 에미터 전극의 제조 방법은 기판 위에 탄소나노튜브, 제1 무기 충전제, 제2 무기 충전제, 용매 및 유기 바인더를 혼합하여 페이스트를 준비하는 단계, 기판 위에 페이스트를 도포하여 페이스트 층을 형성하는 단계, 페이스트층을 90℃ 내지 120℃의 제1 온도로 건조하는 단계, 페이스트층을 상기 제1 온도보다 높은 250℃ 내지 400℃의 제2 온도로 1차 열처리하여 상기 제1 무기 충전제 및 상기 제2 무기 충전제를 용융하여 소성시키는 단계, 페이스트층을 상기 제2 온도보다 높은 650℃ 내지 1,000℃의 제3 온도로 2차 열처리하여 상기 제2 무기 충전제를 상기 제1 무기 충전제와 반응시키는 단계, 페이스트층을 표면 처리하는 단계를 포함하고, 제1 무기 충전제는 카바이드 계열이고, 상기 제2 무기 충전제는 나노 금속이다.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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