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Detail
Registered Transistor and Method of Fabricating the Same
- Inventors
- Kim Seong-Il, Dong Min Kang, Eun Soo Nam, Jong-Won Lim, Hyung Sup Yoon, Ju Chull Won, Jongmin Lee, Mun Jae Kyoung, Lee Sang-Heung, Min Byoung-Gue
- Application No.
- 10-2012-0146836 (2012.12.14) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0079539 (2014.06.27)
- Registration No.
- 10-1923968-0000 (2018.11.26)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12ZB1100, 융?복합부품 핵심기술 연구, Eun Soo Nam
- Abstract
- 전계 효과 트랜지스터가 제공된다. 이 트랜지스터는 기판 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 및 소스 전극과 드레인 전극 사이의 기판 상에 배치된 +형 게이트 전극을 포함한다.