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Detail
Registered 트랜지스터 및 그 제조 방법
- Application No.
- 10-2012-0148675 (2012.12.18) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2014-0079091 (2014.06.26)
- Registration No.
- 10-1923972-0000 (2018.11.26)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12VB1500, Energy Efficient Power Semiconductor Technology for Next Generation Data Center, Eun Soo Nam
- Abstract
- 전계 효과 트랜지스터가 제공된다. 이 트랜지스터는 기판 상에 순차적으로 적층된 활성층 및 캡핑층, 캡핑층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 오믹 전극 및 드레인 오믹 전극, 및 소스 오믹 전극과 드레인 오믹 전극 사이의 기판 상에 배치되되, 캡핑층을 관통하여 활성층에 연결된 게이트 전극을 포함한다. 게이트 전극은 활성층에 연결된 좁은 폭을 갖는 다리부 및 다리부보다 넓은 폭을 갖는 다리부 상의 머리부로 구성된다. 게이트 전극이 연장되는 방향의 게이트 전극의 양 말단 부위들의 게이트 전극의 다리부는 나머지 부위의 게이트 전극의 머리부보다 좁고, 그리고 다리부보다 넓은 폭을 갖는다.
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | UNITED STATES |