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등록 트랜지스터 및 그 제조방법

트랜지스터 및 그 제조방법
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발명자
조성행, 박상희, 황치선
출원번호
10-2013-0068263 (2013.06.14) KIPRIS
공개번호
10-2014-0145750 (2014.12.24)
등록번호
10-2061306-0000 (2019.12.24)
출원국
대한민국
협약과제
12VB1800, 폭 1500mm 플렉서블 기판에 산화물 박막 트랜지스터 증착을 위한 스퍼터 장비 실용화 기술 개발, 박상희
초록
트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 개념에 따른 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상의 제공되며, 상기 기판과 수직한 일 측면 및 상기 일 측면과 대향되는 타 측면을 가지는 반도체층, 상기 기판을 따라 연장되며, 상기 반도체층의 일 측면과 접촉하는 제1 전극, 상기 기판을 따라 연장되며, 상기 반도체층의 타 측면과 접촉하는 제2 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고, 제2 전극과 이격되는 도전배선, 상기 반도체층 상에 제공되는 게이트 전극, 그리고 게이트 절연막을 포함하되, 상기 반도체층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 공면을 가질 수 있다. 트랜지스터는 기생 캐패시턴스가 감소하여, 전기적 특성이 향상될 수 있다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 구리 배선 라인의 탑게이트 자기 정렬 산화물 트랜지스터 미국
등록 트랜지스터 및 그 제조방법 미국