상세정보
등록 구리 배선 라인의 탑게이트 자기 정렬 산화물 트랜지스터
- 출원번호
- 14800251 (2015.07.15)
- 공개번호
- 20150318363 (2015.11.05)
- 등록번호
- 9252222 (2016.02.02)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 12VB1800, 폭 1500mm 플렉서블 기판에 산화물 박막 트랜지스터 증착을 위한 스퍼터 장비 실용화 기술 개발, 박상희
- 초록
- Provided is a transistor. The transistor includes: a substrate; a semiconductor layer provided on the substrate and having one side vertical to the substrate and the other side facing the one side; a first electrode extending along the substrate and contacting the one side of the semiconductor layer; a second electrode extending along the substrate and contacting the other side of the semiconductor layer; a conductive wire disposed on the first electrode and spaced from the second electrode; a gate electrode provided on the semiconductor layer; and a gate insulating layer disposed between the semiconductor layer and the gate electrode, wherein the semiconductor layer, the first electrode, and the second electrode have a coplanar.
- KSP 제안 키워드
- gate electrode, insulating layer
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 트랜지스터 및 그 제조방법 | 대한민국 | KIPRIS |
| 등록 | 트랜지스터 및 그 제조방법 | 미국 |