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Registered Method for Forming Gate Electrode and Semiconductor Device Having Gate Electrode Obtained by the Method
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Method for Forming Gate Electrode and Semiconductor Device Having Gate Electrode Obtained by the Method
- Inventors
- Min Byoung-Gue, Hyung Sup Yoon, Jong-Won Lim, Hae Cheon Kim, Hokyun Ahn
- Application No.
- 10-2013-0159197 (2013.12.19) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2015-0072003 (2015.06.29)
- Registration No.
- 10-2123845-0000 (2020.06.11)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 12VB2900, Development of Core Modules and Transceiver for Digital Wireless Communications Based on Software, Hyung Sup Yoon
- Abstract
- 본 발명은 게이트 전극 형성방법 및 이를 통해 얻은 게이트 전극을 포함한 반도체 소자에 관한 것으로, 상기 형성방법은 기판 상에 1차 절연막을 형성하는 단계; 상기 1차 절연막 위에 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 풋 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 풋 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극의 풋을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 풋이 형성된 기판 상에 2차 절연막을 형성하는 단계; 상기 2차 절연막 위에 다층의 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 줄기 및 헤드 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 줄기 및 헤드 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 이와 같이 제조되는 게이트 전극은 게이트 전극 풋 주위에 빈 공간을 모두 채워 빈 공간이 존재할 때 발생할 수 있는 전극 금속 물질의 이동을 억제하여 신뢰성있는 소자 특성을 확보할 수 있고, 게이트 전극 헤드가 게이트 전류의 패스로써 작동하여 게이트 전극의 자체 저항을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
- KSP Keywords
- gate electrode, semiconductor device