상세정보
등록 게이트 전극 형성 방법 및 이를 통해 얻은 게이트 전극을 포함한 반도체 소자
- 출원번호
- 10-2013-0159197 (2013.12.19) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2015-0072003 (2015.06.29)
- 등록번호
- 10-2123845-0000 (2020.06.11)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 12VB2900, SW기반 디지털 무선통신용 핵심 모듈 및 트랜시버 개발, 윤형섭
- 초록
- 본 발명은 게이트 전극 형성방법 및 이를 통해 얻은 게이트 전극을 포함한 반도체 소자에 관한 것으로, 상기 형성방법은 기판 상에 1차 절연막을 형성하는 단계; 상기 1차 절연막 위에 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 풋 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 풋 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극의 풋을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 풋이 형성된 기판 상에 2차 절연막을 형성하는 단계; 상기 2차 절연막 위에 다층의 포토레지스트를 도포 및 식각하여 게이트 줄기 및 헤드 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 줄기 및 헤드 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 이와 같이 제조되는 게이트 전극은 게이트 전극 풋 주위에 빈 공간을 모두 채워 빈 공간이 존재할 때 발생할 수 있는 전극 금속 물질의 이동을 억제하여 신뢰성있는 소자 특성을 확보할 수 있고, 게이트 전극 헤드가 게이트 전류의 패스로써 작동하여 게이트 전극의 자체 저항을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.