Registered
System and method for efficient address translation on Flash memory device
- Inventors
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Chang Soo Kim, Park Kyoung Hyun, Mai Hai Thanh, Lee Hun Soon, Hur Sung Jin, Lee Mi Young
- Application No.
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10-2014-0002821 (2014.01.09)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2015-0083264 (2015.07.17)
- Registration No.
- 10-2252419-0000 (2021.05.10)
- Country
- KOREA
- Project Code
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13VS3400, Development of Key Technologies for Big Data Analysis and Management based on Next Generation Memory,
Hur Sung Jin
- Abstract
- 본 발명은 플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 특히, 플래시 메모리 장치의 관리에 있어서 플래시 메모리의 외부에 제공하는 논리주소와 실제 플래시 메모리의 물리주소 사이의 주소 변환을 효율적으로 수행할 수 있도록 하는 기술이다. 이러한 본 발명은 스토리지 클라이언트들로부터 데이터 페이지의 기록 요청이 있는 경우 물리주소 공간을 할당하여 해당 데이터 페이지를 기록하며, 물리주소와 논리주소 간의 주소변환을 수행하는 플래시 메모리 시스템; 및 플래시 메모리 시스템과 상기 스토리지 클라이언트 사이에 형성되어 논리주소를 제공하는 논리주소 공간을 포함한다.
- KSP Keywords
- Flash Memory, address translation, flash memory device, memory device
- Family
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