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Registered System and method for efficient address translation on Flash memory device

플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법
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Inventors
Chang Soo Kim, Park Kyoung Hyun, Mai Hai Thanh, Lee Hun Soon, Hur Sung Jin, Lee Mi Young
Application No.
10-2014-0002821 (2014.01.09) KIPRIS
Publication No.
10-2015-0083264 (2015.07.17)
Registration No.
10-2252419-0000 (2021.05.10)
Country
KOREA
Project Code
13VS3400, Development of Key Technologies for Big Data Analysis and Management based on Next Generation Memory, Hur Sung Jin
Abstract
본 발명은 플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 특히, 플래시 메모리 장치의 관리에 있어서 플래시 메모리의 외부에 제공하는 논리주소와 실제 플래시 메모리의 물리주소 사이의 주소 변환을 효율적으로 수행할 수 있도록 하는 기술이다. 이러한 본 발명은 스토리지 클라이언트들로부터 데이터 페이지의 기록 요청이 있는 경우 물리주소 공간을 할당하여 해당 데이터 페이지를 기록하며, 물리주소와 논리주소 간의 주소변환을 수행하는 플래시 메모리 시스템; 및 플래시 메모리 시스템과 상기 스토리지 클라이언트 사이에 형성되어 논리주소를 제공하는 논리주소 공간을 포함한다.
KSP Keywords
Flash Memory, address translation, flash memory device, memory device
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered SYSTEM AND METHOD FOR EFFICIENT ADDRESS TRANSLATION ON FLASH MEMORY DEVICE UNITED STATES