등록
금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치
- 발명자
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박종혁, 황치선, 최정민, 양종헌, 유승협, 추혜용
- 출원번호
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10-2014-0078173 (2014.06.25)
KIPRIS
- 공개번호
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10-2015-0095164 (2015.08.20)
- 등록번호
- 10-2233750-0000 (2021.03.24)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
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13VB1900, 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발,
추혜용
- 초록
- 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- Metal oxide thin films, Metal-oxide(MOX), Oxide thin films, thin film(TF)