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Registered METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR

산화물 반도체 형성방법
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Inventors
Oh Himchan, Hwang Chi-Sun, Yang Jong-Heon, Chu Hye Yong
Application No.
10-2014-0021441 (2014.02.24) KIPRIS
Publication No.
10-2015-0100088 (2015.09.02)
Registration No.
10-2216310-0000 (2021.02.09)
Country
KOREA
Project Code
13MR1100, Development of Telecommunications Terminal with Digital Holographic Table-top Display, Jin Woong Kim
Abstract
본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 반응기 내에 용매를 채우는 것, 상기 반응기에 산화물반도체막이 형성된 기판을 넣는 것, 및 상기 반응기를 가열하여 상기 산화물반도체막을 용매열처리하는 것을 포함할 수 있다.
KSP Keywords
Oxide semiconductor