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Detail
Registered METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR
- Inventors
- Oh Himchan, Yang Jong-Heon, Hwang Chi-Sun, Chu Hye Yong
- Application No.
- 10-2014-0021441 (2014.02.24) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2015-0100088 (2015.09.02)
- Registration No.
- 10-2216310-0000 (2021.02.09)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 13MR1100, Development of Telecommunications Terminal with Digital Holographic Table-top Display, Jin Woong Kim
- Abstract
- 본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 반응기 내에 용매를 채우는 것, 상기 반응기에 산화물반도체막이 형성된 기판을 넣는 것, 및 상기 반응기를 가열하여 상기 산화물반도체막을 용매열처리하는 것을 포함할 수 있다.
- KSP Keywords
- Oxide semiconductor