상세정보
등록 산화물 반도체 형성방법
- 출원번호
- 10-2014-0021441 (2014.02.24) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2015-0100088 (2015.09.02)
- 등록번호
- 10-2216310-0000 (2021.02.09)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 13MR1100, 디지털 홀로그래픽 테이블탑형 단말 기술 개발, 김진웅
- 초록
- 본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 반응기 내에 용매를 채우는 것, 상기 반응기에 산화물반도체막이 형성된 기판을 넣는 것, 및 상기 반응기를 가열하여 상기 산화물반도체막을 용매열처리하는 것을 포함할 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- Oxide semiconductor