BROWSE
Detail
Registered 매립형 이종접합 레이저 다이오드
- Application No.
- 10-2014-0019806 (2014.02.20) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2015-0098710 (2015.08.31)
- Registration No.
- 10-1818034-0000 (2018.01.08)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 13VB1700, Energy Efficient Power Semiconductor Technology for Next Generation Data Center, Eun Soo Nam
- Abstract
- 매립형 이종접합 레이저 다이오드는 기판 상에 형성된 활성층을 포함하는 광 생성 영역; 상기 광 생성 영역의 양측에 형성된 제1 트렌치들; 상기 광 생성 영역을 감싸면서 그 상부에 형성되고, 상기 제1 트렌치들 내에 형성된 전류차단층들을 포함하며, 5 내지 10μm 의 폭을 갖는 광 가둠 영역; 및 상기 광 가둠 영역의 양측에 형성된 제2 트렌치들을 포함한다.
- KSP Keywords
- Hetero-junction, Laser diode