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Registered A semiconductor device and method for fabricating the same

반도체 소자 및 그 제조 방법
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Inventors
Koo Jae Bon, Park Chan Woo, Soon-Won Jung, Na Bock Soon, Lim Sang Chul, Cho Kyoung Ik, Lee Sang Seok, Chu Hye Yong
Application No.
10-2014-0065799 (2014.05.30) KIPRIS
Publication No.
10-2015-0138912 (2015.12.11)
Registration No.
10-2175353-0000 (2020.11.02)
Country
KOREA
Project Code
13VB1900, The core technology development of light and space adaptable new mode display for energy saving on 7inch and 2 W, Chu Hye Yong
Abstract
본 발명의 실시예들에 따른 신축성 반도체 소자의 제조 방법은 소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 희생 기판 상에 차례로 희생층 및 버퍼층을 형성하는 것, 소자 영역의 버퍼층 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 것, 소자 영역 내에서 박막 트랜지스터를 감싸는 소자 보호부를 형성하는 것, 소자 보호부가 형성된 버퍼층 상에 신축성 기판을 형성하고 상기 희생층을 제거하여 상기 희생 기판을 분리시키는 것을 포함할 수 있다. 기존의 반도체 공정 기술을 그대로 적용하기 때문에 공정호환성을 높일 수 있고, 고해상도 및 고성능을 갖는 신축성 반도체 소자의 제조가 가능하고, 박막 트랜지스터를 소자 보호부로 감싸 보호하기 때문에 신축성 환경에서 반도체 소자의 변형을 막아 신뢰도를 높일 수 있다.
KSP Keywords
semiconductor device