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Registered 바이폴라 접합 트랜지스터
- Application No.
- 10-2015-0068018 (2015.05.15) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2016-0054387 (2016.05.16)
- Registration No.
- 10-2225299-0000 (2021.03.03)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 14MB1200, Next Generation Optical and Electrical Module Technology for Smart Data Center, Eun Soo Nam
- Abstract
- 본 발명은 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상의 콜렉터층, 상기 콜렉터층 상의 베이스층, 상기 베이스층 상의 이미터층, 상기 베이스층 일측에 배치되고 상기 콜렉터층 내에 배치되는 접합마감 확장 영역, 및 상기 접합마감 확장 영역 내에 배치되는 적어도 하나의 가드링들을 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터가 제공된다. 상기 접합마감 확장 영역 및 상기 가드링들은 상기 베이스층과 동일한 도전형을 갖되, 상기 접합마감 확장 영역은 상기 베이스층보다 작은 도핑 농도를 갖고, 상기 가드링들은 상기 베이스층보다 크거나 같은 도핑 농도를 가질 수 있다.
- KSP Keywords
- bipolar junction transistor(BJT), junction transistor(JT)