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상세정보

등록 바이폴라 접합 트랜지스터

바이폴라 접합 트랜지스터
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발명자
이형석, 배성범, 문재경, 장우진, 박영락, 나제호, 정동윤, 김진식, 전치훈, 남은수, 고상춘
출원번호
10-2015-0068018 (2015.05.15) KIPRIS
공개번호
10-2016-0054387 (2016.05.16)
등록번호
10-2225299-0000 (2021.03.03)
출원국
대한민국
협약과제
14MB1200, 스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술, 남은수
초록
본 발명은 바이폴라 접합 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상의 콜렉터층, 상기 콜렉터층 상의 베이스층, 상기 베이스층 상의 이미터층, 상기 베이스층 일측에 배치되고 상기 콜렉터층 내에 배치되는 접합마감 확장 영역, 및 상기 접합마감 확장 영역 내에 배치되는 적어도 하나의 가드링들을 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터가 제공된다. 상기 접합마감 확장 영역 및 상기 가드링들은 상기 베이스층과 동일한 도전형을 갖되, 상기 접합마감 확장 영역은 상기 베이스층보다 작은 도핑 농도를 갖고, 상기 가드링들은 상기 베이스층보다 크거나 같은 도핑 농도를 가질 수 있다.
KSP 제안 키워드
bipolar junction transistor, junction transistor(JT)