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Registered 게르마늄 온 인슐레이터 기판 및 그의 형성방법
- Application No.
- 10-2015-0029812 (2015.03.03) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2016-0107398 (2016.09.19)
- Registration No.
- 10-2279162-0000 (2021.07.13)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 14MB1300, Silicon Nanophotonics-based next-generation computer interface platform, Kim Gyungock
- Abstract
- 본 발명은 게르마늄 온 인슐레이터 기판을 제공한다. 게르마늄 온 인슐레이터 기판은 벌크 실리콘 기판, 상기 벌크 실리콘 기판 상에 배치되고, 상기 벌크 실리콘 기판의 일부를 노출하는 제 1 영역을 가지는 산화막, 상기 산화막의 상면의 일부를 덮으며, 상기 제 1 영역을 덮지 않는 실리콘층, 상기 제 1 영역을 통해 노출된 상기 벌크 실리콘 기판과 접촉하고, 상기 산화막 상에 배치되는 게르마늄층 및 상기 산화막 및 상기 실리콘층을 덮고 상기 게르마늄층의 상면을 노출시키는 절연층을 포함한다.
- KSP Keywords
- Germanium on insulator