상세정보
등록 전자 투과성 원자층 게이트
- 출원번호
- 14929792 (2015.11.02)
- 공개번호
- 20160148774 (2016.05.26)
- 등록번호
- 9666401 (2017.05.30)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 14ZE1100, ETRI 창의연구실 사업, 손승원
- 초록
- The present disclosure may provide a field emission device with an enhanced beam convergence. For this, the device may include a gate structure disposed between a cathode electrode and an anode electrode, wherein the gate structure includes a gate electrode and an atomic layer sheet disposed on the gate electrode, the gate electrode facing an emitter and having at least one aperture formed therein.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 전계방출 장치 | 대한민국 | KIPRIS |