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등록 광대역 테라헤르츠 연속파 발생용 포토다이오드의 동위상 배열을 통한 고출력 발생 기술

광대역 테라헤르츠 연속파 발생용 포토다이오드의 동위상 배열을 통한 고출력 발생 기술
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발명자
이의수, 이원희, 박경현, 한상필
출원번호
15143148 (2016.04.29)
공개번호
20160320573 (2016.11.03)
등록번호
9715069 (2017.07.25)
출원국
미국
협약과제
14PE1100, 테라헤르츠 영상?분광 복합 포터블 스캐너 기술 개발 , 박경현
초록
Disclosed is a photo diode. The photo diode includes: at least two branched waveguides configured to receive beating signals; absorbing layers disposed in vertical directions to the waveguides, and disposed while being spaced apart from distal ends of the waveguides by a predetermined interval; and one or more intermediate layers formed based on the distal ends of the waveguides and disposed with the absorbing layers at upper end of the one or more intermediate layers.
KSP 제안 키워드
Absorbing layer, Photo diode
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 포토 다이오드 대한민국 KIPRIS