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Detail
Registered 기판소자의 제조방법
- Application No.
- 10-2016-0018604 (2016.02.17) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2016-0116295 (2016.10.07)
- Registration No.
- 10-1988889-0000 (2019.06.07)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 14PB2600, Utilizing Technology Development for Oxide Thin-Film Transistor Sputtering Deposition Equipment on Width 1500mm Flexible substrates, Cho Sung Haeng
- Abstract
- 본 발명의 실시예에 따라 유연 기판소자를 제공한다. 유연 기판 소자는 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하고, 상기 희생층 상에 유연 기판소자를 형성하고, 상기 유연 기판소자가 형성된 상기 캐리어 기판을 희석된 산화물 식각제(Buffered Oxide Etchant)에 침전시켜 상기 희생층과 상기 캐리어 기판을 상기 유연 기판소자로부터 제거하는 것을 포함하고, 상기 희생층은 수소 함유 실리콘 질화물을 포함한다.