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Registered 반도체 소자의 선택적 도핑 방법
- Application No.
- 10-2016-0006517 (2016.01.19) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0086907 (2017.07.27)
- Registration No.
- 10-2312040-0000 (2021.10.06)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15MB1200, Development of key technologies for flexible optical node based on software-defined network(SDN), Kwon Yong-Hwan
- Abstract
- 본 발명은 반도체 소자의 선택적 도핑 방법에 관한 것이다. 이에 따른 본 발명은, 반도체 소자의 선택적 도핑 방법으로, 기판상에 증착된 희생층 상에 도핑 영역을 정의하기 위한 마스크 층을 형성하는 단계, 상기 마스크 층 상에 증착되는 도펀트 물질을 상기 기판 내부로 확산하여 도핑 영역을 형성하는 제1 열처리 단계, 상기 도핑 영역으로 확산된 도펀트 물질을 활성화 하는 제2 열처리 단계 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 도핑 방법에 관한 것이다.
- KSP Keywords
- Selective doping, semiconductor device