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등록 반도체 소자의 선택적 도핑 방법

반도체 소자의 선택적 도핑 방법
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발명자
고영호, 김덕준, 한원석, 최병석, 김종회, 김동영, 권용환
출원번호
10-2016-0006517 (2016.01.19) KIPRIS
공개번호
10-2017-0086907 (2017.07.27)
등록번호
10-2312040-0000 (2021.10.06)
출원국
대한민국
협약과제
15MB1200, 소프트웨어 정의 네트워크(SDN) 기반 Flexible 광노드 핵심기술 개발, 권용환
초록
본 발명은 반도체 소자의 선택적 도핑 방법에 관한 것이다. 이에 따른 본 발명은, 반도체 소자의 선택적 도핑 방법으로, 기판상에 증착된 희생층 상에 도핑 영역을 정의하기 위한 마스크 층을 형성하는 단계, 상기 마스크 층 상에 증착되는 도펀트 물질을 상기 기판 내부로 확산하여 도핑 영역을 형성하는 제1 열처리 단계, 상기 도핑 영역으로 확산된 도펀트 물질을 활성화 하는 제2 열처리 단계 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 도핑 방법에 관한 것이다.
KSP 제안 키워드
Selective doping, semiconductor device