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Registered 반도체 소자 및 이의 제조 방법
- Application No.
- 10-2016-0018998 (2016.02.18) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0097807 (2017.08.29)
- Registration No.
- 10-2298440-0000 (2021.08.31)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15ZB1400, ESSOP CUBE 기술 기반 차세대 레이더 3D 모듈 개발, Lee Jin Ho
- Abstract
- 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 기판 상에 제공된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 제공된 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 상기 제2 반도체층 상에 제공되며 제1 유전 상수를 가지는 저유전층, 상기 제2 반도체층 상에 제공되며 상기 제2 유전 상수보다 큰 제2 유전 상수를 가지는 고유전층, 및 상기 제2 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 게이트 전극, 상기 고유전층, 상기 저유전층은 동일 평면 상에 제공된다.
- KSP Keywords
- semiconductor device