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상세정보

등록 반도체 소자 및 이의 제조 방법

반도체 소자 및 이의 제조 방법
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발명자
조규준, 임종원, 안호균, 김해천, 강동민, 이종민, 도재원, 장유진, 정현욱, 윤형섭, 민병규, 김성일, 김동영, 주철원, 이상흥
출원번호
10-2016-0018998 (2016.02.18) KIPRIS
공개번호
10-2017-0097807 (2017.08.29)
등록번호
10-2298440-0000 (2021.08.31)
출원국
대한민국
협약과제
15ZB1400, ESSOP CUBE 기술 기반 차세대 레이더 3D 모듈 개발, 이진호
초록
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 기판 상에 제공된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 제공된 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 제공된 게이트 전극, 상기 제2 반도체층 상에 제공되며 제1 유전 상수를 가지는 저유전층, 상기 제2 반도체층 상에 제공되며 상기 제2 유전 상수보다 큰 제2 유전 상수를 가지는 고유전층, 및 상기 제2 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 게이트 전극, 상기 고유전층, 상기 저유전층은 동일 평면 상에 제공된다.