상세정보
등록 수직 핀 다이오드
- 출원번호
- 10-2016-0021467 (2016.02.23) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2017-0099286 (2017.08.31)
- 등록번호
- 10-2395373-0000 (2022.05.03)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 15MI1500, 차세대 무선통신용 반도체 기반 스마트 안테나 기술 개발, 박봉혁
- 초록
- 고체 플라즈마 안테나용 수직 핀 다이오드가 개시된다. 수직 핀 다이오드는 P-유형 영역, 진성 영역 및 N-유형 영역이 순서대로 수직 방향으로 배치되어서 내부에 형성되어 있는 반도체 기판, P-유형 영역에 전기적으로 접촉되도록 반도체 기판의 일면 상에 형성되어 있는 제1 전극 및 N-유형 영역에 전기적으로 접촉되도록 반도체 기판의 타면 상에 형성되어 있는 제2 전극을 포함한다. 그리고 P-유형 영역과 N-유형 영역은 각각 반도체 기판의 상하 표면부에 서로 대향하도록 배치되어 있다.
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 수직 플라즈마 PIN 다이오드 | 미국 |