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Detail
Registered 쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법
- Application No.
- 10-2016-0025264 (2016.03.02) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0102746 (2017.09.12)
- Registration No.
- 10-2266960-0000 (2021.06.14)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15PE1100, Development of the portable scanner for THz imaging and spectroscopy, Park Kyung Hyun
- Abstract
- 쇼트키 다이오드는, 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 제공된 중간층, 상기 중간층 상에 제공된 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 제공된 애노드, 및 상기 제1 반도체층 상에 제공된 캐소드를 포함한다. 단면 상에서 볼 때, 상기 제2 반도체층의 폭은 상기 중간층의 폭보다 크다.