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Detail
Registered transistor having multichannel
- Inventors
- Lim Jungwook, Sun Jin Yun
- Application No.
- 10-2016-0090247 (2016.07.15) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2017-0089388 (2017.08.03)
- Registration No.
- 10-2272043-0000 (2021.06.28)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16MB1300, Fundamental technologies of two-dimensional materials and devices for the platform of new-functional smart devices, Sun Jin Yun
- Abstract
- 본 발명은 트랜지스터를 개시한다. 트랜지스터는 서로 이격하여 배치된 복수개의 전극들과, 전극들 사이에 배치되고, 전극들과 분리된 게이트 전극, 게이트 전극의 위 또는 아래의 전극들 사이에 연결된 하부 채널 층, 하부 채널 층 상에 배치되고, 상기 하부 채널 층의 에너지 밴드 갭과 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 채널 층, 그리고 상기 상부 채널 층과 하부 채널 층 사이에 배치되고, 상부 채널 층의 에너지 밴드 갭과, 하부 채널 층의 에너지 밴드 갭 사이의 에너지 밴드 갭을 갖는 중간 채널 층을 포함한다.