기판 상에 에피층을 형성하는 것, 상기 에피층 상에 평면적 관점에서 일 방향으로 연장되는 바 형상의 제 1 마스크를 형성하는 것, 상기 에피층에 이온 주입 공정을 수행하여 바디 영역을 형성하는 것, 상기 에피층 상에 배치되는 제 2 마스크 및 상기 제 1 마스크의 측면을 덮는 스페이서를 형성하는 것, 상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역에 도펀트를 주입하여 소스 영역들을 형성하는 것, 상기 제 1 및 제 2 마스크들과 상기 스페이서를 제거하는 것, 및 상기 드리프트 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하되, 상기 바디 영역에 의해 상기 바디 영역의 사이는 드리프트 영역으로 정의되고, 상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역의 일부는 상기 제 1 마스크의 양측에 제공되며, 상기 일 방향으로 연장되고, 상기 제 2 마스크는 상기 제 1 마스크의 상기 일 방향의 일단을 덮을 수 있다.
KSP 제안 키워드
semiconductor device
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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