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Registered 반도체 소자 및 그의 제조 방법
- Application No.
- 10-2016-0086269 (2016.07.07) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0006541 (2018.01.18)
- Registration No.
- 10-2572194-0000 (2023.08.24)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16ZB1600, Development of SiC based trench type next generation power device, Kim Sang Gi
- Abstract
- 기판 상에 에피층을 형성하는 것, 상기 에피층 상에 평면적 관점에서 일 방향으로 연장되는 바 형상의 제 1 마스크를 형성하는 것, 상기 에피층에 이온 주입 공정을 수행하여 바디 영역을 형성하는 것, 상기 에피층 상에 배치되는 제 2 마스크 및 상기 제 1 마스크의 측면을 덮는 스페이서를 형성하는 것, 상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역에 도펀트를 주입하여 소스 영역들을 형성하는 것, 상기 제 1 및 제 2 마스크들과 상기 스페이서를 제거하는 것, 및 상기 드리프트 영역 상에 게이트 절연막 및 게이트를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하되, 상기 바디 영역에 의해 상기 바디 영역의 사이는 드리프트 영역으로 정의되고, 상기 제 2 마스크 및 상기 스페이서에 의해 노출되는 상기 바디 영역의 일부는 상기 제 1 마스크의 양측에 제공되며, 상기 일 방향으로 연장되고, 상기 제 2 마스크는 상기 제 1 마스크의 상기 일 방향의 일단을 덮을 수 있다.
- KSP Keywords
- semiconductor device