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등록 P형 산화물 반도체, P형 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터

P형 산화물 반도체, P형 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터
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발명자
조성행, 남수지, 황치선, 조경익, 이수재, 피재은
출원번호
10-2016-0154389 (2016.11.18) KIPRIS
공개번호
10-2018-0010939 (2018.01.31)
등록번호
10-2277143-0000 (2021.07.08)
출원국
대한민국
협약과제
16ZB1200, 차세대 극한성능 반도체 원천기술 개발, 임영안
초록
본 발명의 실시예들에 따른 p형 산화물 반도체는 알칼리 금속 및 주석 산화물을 포함한다.