등록
P형 산화물 반도체, P형 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터
- 발명자
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조성행, 남수지, 황치선, 조경익, 이수재, 피재은
- 출원번호
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10-2016-0154389 (2016.11.18)
KIPRIS
- 공개번호
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10-2018-0010939 (2018.01.31)
- 등록번호
- 10-2277143-0000 (2021.07.08)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
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16ZB1200, 차세대 극한성능 반도체 원천기술 개발,
임영안
- 초록
- 본 발명의 실시예들에 따른 p형 산화물 반도체는 알칼리 금속 및 주석 산화물을 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- Oxide semiconductor, p-Type, p-Type oxide, p-Type oxide semiconductor
