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Registered 광소결을 이용하여 폴리실라잔 막을 소결시키는 방법 및 그 방법에 의해 생성된 실리콘 막
- Application No.
- 10-2017-0129216 (2017.10.10) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0040096 (2018.04.19)
- Registration No.
- 10-2442162-0000 (2022.09.05)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 15PC2500, Synthesis of Oxide Semiconductor and Insulator Ink Materials and Process Development for Printed Backplane of Flexible Displays Processed Below 150 ºC, Do Lee-Mi
- Abstract
- 광소결을 이용한 폴리실라잔 막 소결 방법 및 그 방법으로 생성된 실리콘 막이 개시된다. 광소결을 이용한 폴리실라잔 막(polysilazane film) 소결 방법은, 기판 위에 폴리실라잔(polysilazane) 용액을 코팅하여 폴리실라잔 막을 형성시키는 단계(S100), 폴리실라잔 막이 형성된 상기 기판을 물에 넣는 단계(S110) 및 물에 잠긴 상기 폴리실라잔 막에 제논 램프(xenon lamp)를 조사하여 폴리실라잔 막을 소결시키는 단계(S120)를 포함할 수 있다. 따라서, 폴리실라잔 막을 물속에서 광소결 시킴으로써 물이 촉매로 작용하여 소결 속도를 향상시키고 물의 높은 열전도도로 열에 의한 기판 변형을 최소화할 수 있다.
- KSP Keywords
- Silicon film, Sintering A, Xenon lamp