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Registered 질소가 도핑된 그래핀을 제조하는 방법
- Inventors
- 박종혁
- Application No.
- 10-2017-0037911 (2017.03.24) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0109014 (2018.10.05)
- Registration No.
- 10-2307843-0000 (2021.09.27)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16PB1400, Semiconductor nanowire/graphene hybrids for high-efficiency light emitting diodes, Park Jonghyurk
- Abstract
- 본 발명의 일 실시예에 따른 질소가 도핑된 그래핀을 제조하는 방법은 베이스 그래핀을 준비하는 단계, 및 질소를 포함하는 전구체가 주입된 대기 분위기 하에서 베이스 그래핀에 UV를 조사하는 단계를 포함하며, UV를 조사하는 단계는 상온 및 대기압 하에서 신속하게 수행될 수 있다.
- KSP Keywords
- Nitrogen-doped, Nitrogen-doped graphene, doped graphene