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Detail
Registered method for manufacturing semiconductor device
- Inventors
- Hyung Seok Lee, Kim Zin-Sig, Bae Sung-Bum, Mun Jae Kyoung
- Application No.
- 10-2017-0054654 (2017.04.27) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0062924 (2018.06.11)
- Registration No.
- 10-2323197-0000 (2021.11.02)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16ZB1200, Developement of key material and device technologies for next generation semiconductor devices with extreme performance, Leem Young Ahn
- Abstract
- 본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은 기판의 제 1 면 상에 중간 층을 형성하는 단계와, 상기 중간 층 상에 시드 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 시드 패턴들 상에 방열 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 기판의 상기 제 1 면과 다른 제 2 면 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.