상세정보
등록 반도체 소자의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2017-0054654 (2017.04.27) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2018-0062924 (2018.06.11)
- 등록번호
- 10-2323197-0000 (2021.11.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 16ZB1200, 차세대 극한성능 반도체 원천기술 개발, 임영안
- 초록
- 본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은 기판의 제 1 면 상에 중간 층을 형성하는 단계와, 상기 중간 층 상에 시드 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 시드 패턴들 상에 방열 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 기판의 상기 제 1 면과 다른 제 2 면 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.
- KSP 제안 키워드
- semiconductor device