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Registered 분포궤환 레이저 다이오드
- Application No.
- 10-2017-0144097 (2017.10.31) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0065883 (2018.06.18)
- Registration No.
- 10-2396079-0000 (2022.05.04)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16ZB1200, Developement of key material and device technologies for next generation semiconductor devices with extreme performance, Leem Young Ahn
- Abstract
- 본 발명은 분포궤환 레이저 다이오드를 개시한다. 그의 레이저 다이오드는 분포 영역들을 갖는 기판과, 상기 기판 상의 하부 클래드 층과, 상기 분포 영역들 상의 상기 하부 클래드 층 내에 배치된 브래그 회절 격자들과, 상기 하부 클래드 층상에 배치된 도파로와, 상기 도파로 상에 형성된 상부 클래드 층과, 상기 상부 클래드 층 상의 전극들을 포함한다.
- KSP Keywords
- Distributed feedback, Laser diode