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Registered 전력 반도체 소자의 제조 방법
- Application No.
- 10-2017-0086652 (2017.07.07) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2019-0006146 (2019.01.17)
- Registration No.
- 10-2238755-0000 (2021.04.05)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 16HB1500, Development of 650V/20A SiC Diode Using Edge Termination Improvement, Roh Tae Moon
- Abstract
- 본 발명은 전력 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 이온주입 영역 및 이온주입 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 가드링 영역을 형성하는 것, 기판 상에 이온주입 영역 및 가드링 영역을 덮는 제1 절연막을 형성하는 것, 제1 절연막을 열처리하는 것 및 제1 절연막 상에 제1 절연막 보다 두꺼운 제2 절연막을 형성하는 것을 포함하되, 기판은 실리콘 카바이드를 포함하고, 열처리는 질소(N) 원소를 포함하는 가스를 이용하여 수행되는 전력 반도체 소자의 제조방법이 제공된다.
- KSP Keywords
- Power semiconductor, power semiconductor devices, semiconductor device