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Registered 광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치

광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치
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Inventors
임정욱, 윤선진, 나제호, 김태윤, 정광훈, 이성현
Application No.
10-2018-0002438 (2018.01.08) KIPRIS
Publication No.
10-2018-0132503 (2018.12.12)
Registration No.
10-2277139-0000 (2021.07.08)
Country
KOREA
Project Code
17HB1300, Fundamental technologies of two-dimensional materials and devices for the platform of new-functional smart devices, Sun Jin Yun
Abstract
광 복원성 반도체 장치는 게이트 전극, 게이트 전극 상의 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 광 감응성 반도체 막, 및 광 감응성 반도체 막과 게이트 절연막의 계면에 인접하게 배치되는 계면 전하부를 포함하되, 계면 전하부는 전하 트랩들을 포함하며, 계면 전하부와 광 감응성 반도체 막은 서로 직접 접한다.
KSP Keywords
FLASH memory, flash memory device, memory device, semiconductor device
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered OPTICALLY RESTORABLE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME UNITED STATES