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Registered 광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치
- Application No.
- 10-2018-0002438 (2018.01.08) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2018-0132503 (2018.12.12)
- Registration No.
- 10-2277139-0000 (2021.07.08)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 17HB1300, Fundamental technologies of two-dimensional materials and devices for the platform of new-functional smart devices, Sun Jin Yun
- Abstract
- 광 복원성 반도체 장치는 게이트 전극, 게이트 전극 상의 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 광 감응성 반도체 막, 및 광 감응성 반도체 막과 게이트 절연막의 계면에 인접하게 배치되는 계면 전하부를 포함하되, 계면 전하부는 전하 트랩들을 포함하며, 계면 전하부와 광 감응성 반도체 막은 서로 직접 접한다.
- KSP Keywords
- FLASH memory, flash memory device, memory device, semiconductor device
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | OPTICALLY RESTORABLE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME | UNITED STATES |