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등록 광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치

광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치
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발명자
임정욱, 윤선진, 김태윤, 정광훈, 나제호, 이성현
출원번호
10-2018-0002438 (2018.01.08) KIPRIS
공개번호
10-2018-0132503 (2018.12.12)
등록번호
10-2277139-0000 (2021.07.08)
출원국
대한민국
협약과제
17HB1300, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
초록
광 복원성 반도체 장치는 게이트 전극, 게이트 전극 상의 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 광 감응성 반도체 막, 및 광 감응성 반도체 막과 게이트 절연막의 계면에 인접하게 배치되는 계면 전하부를 포함하되, 계면 전하부는 전하 트랩들을 포함하며, 계면 전하부와 광 감응성 반도체 막은 서로 직접 접한다.
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 일방향성 광 복원성을 이용한 다중 상태 전자소자 미국