상세정보
등록 광 복원성 반도체 장치, 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 플래시 메모리 장치
- 출원번호
- 10-2018-0002438 (2018.01.08) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2018-0132503 (2018.12.12)
- 등록번호
- 10-2277139-0000 (2021.07.08)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 17HB1300, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
- 초록
- 광 복원성 반도체 장치는 게이트 전극, 게이트 전극 상의 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 광 감응성 반도체 막, 및 광 감응성 반도체 막과 게이트 절연막의 계면에 인접하게 배치되는 계면 전하부를 포함하되, 계면 전하부는 전하 트랩들을 포함하며, 계면 전하부와 광 감응성 반도체 막은 서로 직접 접한다.
- KSP 제안 키워드
- Flash Memory, flash memory device, memory device, semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 일방향성 광 복원성을 이용한 다중 상태 전자소자 | 미국 |