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Detail
Registered MOS structure thyristor device built in diode
- Inventors
- Won Jong Il, Park Kun Sik, 곽창섭, 손성훈, 최동혁, Doohyung Cho, Park Jong-Moon
- Application No.
- 10-2018-0049302 (2018.04.27) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2019-0068400 (2019.06.18)
- Registration No.
- 10-2463902-0000 (2022.11.01)
- Country
- KOREA
- Abstract
- 본 발명은 다잉드 내장형 사이리스터 소자를 개시한다. 그의 소자는, 제 1 도전형 갖는 기판과, 상기 기판 아래에 배치된 애노드 층과, 상기 기판 상에 배치되어 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형을 갖고, 제 1 영역과 상기 제 1 영역으로부터 분리된 제 2 영역을 갖는 불순물 층과, 상기 불순물 층의 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 1 웰들과, 상기 제 1 웰들 내에 배치되어 상기 제 2 도전형을 갖는 제 2 웰들과, 상기 제 2 웰들 내에 배치되어 상기 제 1 도전형을 갖는 제 3 웰들과, 상기 제 1 내지 제 3 웰들과 상기 불순물 층 상의 산화막과, 상기 산화막을 관통하여 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 상의 상기 제 3 웰들에 각각 연결되는 케소드; 및 상기 제 1 영역의 상기 제 1 웰 상의 상기 산화막 내에 배치되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 상기 제 2 영역 상의 제 3 웰들 중 어느 하나에 전기적으로 연결하는 게이트 배선을 구비하는 게이트 층을 포함한다.
- KSP Keywords
- MOS structure, thyristor device