상세정보
등록 CMOS 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법
- 출원번호
- 10-2018-0058440 (2018.05.23) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2019-0095062 (2019.08.14)
- 등록번호
- 10-2237995-0000 (2021.04.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 18ZB1200, 임플란터블 능동 전자소자 원천기술 개발, 이정익
- 초록
- 본 발명은 CMOS 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 반도체 회로, 컨트롤러, 및 전압 생성기를 포함한다. 반도체 회로는 온도의 증가에 따라 입력과 출력 사이의 지연 시간이 감소하기 위한 구동 전압으로 동작한다. 컨트롤러는 온도의 변화에 따른 PMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 및 NMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 사이의 차이에 기초하여, CMOS 회로의 오동작을 판단한다. 전압 생성기는 컨트롤러의 오동작 판단에 기초하여, PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터에 인가되는 바디-바이어스 전압을 생성 또는 조절한다. 본 발명에 따르면, 저전압으로 동작하는 CMOS 회로에서 발생되는 오동작 및 성능 열화가 감소될 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- CMOS circuits, semiconductor device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 온도 변화에 강건한 저전압 동작 회로 제어 방법 및 장치 | 미국 |