Registered
차광구조를 구비한 박막 트랜지스터
- Inventors
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피재은, 강승열, 안성덕, 문제현, 황치선, 이종찬, 주철웅
- Application No.
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10-2018-0090948 (2018.08.03)
KIPRIS
- Publication No.
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10-2019-0116030 (2019.10.14)
- Registration No.
- 10-2409362-0000 (2022.06.10)
- Country
- KOREA
- Project Code
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18HB2500, Development of Core Technologies for Transparent Flexible Display Integrated Biometric Recognition Device,
Seongdeok Ahn
- Abstract
- 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상의 제1 스페이서, 상기 제1 스페이서 상의 제2 스페이서, 상기 제1 스페이서 및 제2 스페이서 사이에 개재된 차광층, 상기 제2 스페이서 상의 반도체 층 및 상기 반도체 층 상의 게이트 전극을 포함하고, 상기 차광층은 상기 상면에 대하여 경사진 복수개의 경사면들을 가질 수 있다.
- KSP Keywords
- Thin-Film Transistor(TFT), shielding structure, thin film(TF)
- Family
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