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Detail
Registered 반도체 소자 및 이의 제조 방법
- Application No.
- 10-2019-0132561 (2019.10.23) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2020-0050380 (2020.05.11)
- Registration No.
- 10-2665745-0000 (2024.05.08)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 18HB1100, Fundamental technologies of two-dimensional materials and devices for the platform of new-functional smart devices, Sun Jin Yun
- Abstract
- 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에서 전극이 형성될 영역에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철이 형성된 기판 상에 이차원 소재의 전구체 막을 형성하는 단계; 상기 형성된 전구체 막에 대하여 칼코겐화 공정을 수행하여 금속 칼코겐 막을 형성하는 단계 및 상기 형성된 금속 칼코겐 막 위에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
- KSP Keywords
- Manufacturing method, semiconductor device
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES |