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Registered 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법
- Application No.
- 10-2018-0173892 (2018.12.31) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2020-0083862 (2020.07.09)
- Registration No.
- 10-2254954-0000 (2021.05.17)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 18MB1100, Development of D-RoF link technologies for 5G fronthaul , Kwon O-Kyun
- Abstract
- 본 발명의 실시 예에 따른 파장가변 반도체 레이저는, 변조 신호에 따라 광신호를 생성하는 활성 이득 영역, 모드 조절 신호에 따라 공진 모드를 조절하고 그리고 변조 신호에 기초하여 결정된 제 1 보상 신호에 따라 신호 처프를 보상하는 모드 조절 영역, 및 파장 선택 전류, 변조 신호에 기초하여 결정되고 그리고 열적 처프를 보상하는 제 2 보상 신호, 히터 전극에 공급되고 히터 신호에 기초하여 발진 파장을 결정하는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 영역을 포함할 수 있다.
- KSP Keywords
- AND operation, Bragg reflector, Distributed Bragg reflector, Operation method, Semiconductor lasers, tunable semiconductor laser
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | TUNABLE SECICONDUCTOR LASER AND OPERATION METHOD THEREOF | UNITED STATES |