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등록 파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법

파장가변 반도체 레이저 및 그것의 동작 방법
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발명자
권오균, 김남제, 박미란, 김태수, 안신모, 한원석
출원번호
10-2018-0173892 (2018.12.31) KIPRIS
공개번호
10-2020-0083862 (2020.07.09)
등록번호
10-2254954-0000 (2021.05.17)
출원국
대한민국
협약과제
18MB1100, 5G 이동통신 기지국용 디지털기반 프론트홀 광링크기술 개발, 권오균
초록
본 발명의 실시 예에 따른 파장가변 반도체 레이저는, 변조 신호에 따라 광신호를 생성하는 활성 이득 영역, 모드 조절 신호에 따라 공진 모드를 조절하고 그리고 변조 신호에 기초하여 결정된 제 1 보상 신호에 따라 신호 처프를 보상하는 모드 조절 영역, 및 파장 선택 전류, 변조 신호에 기초하여 결정되고 그리고 열적 처프를 보상하는 제 2 보상 신호, 히터 전극에 공급되고 히터 신호에 기초하여 발진 파장을 결정하는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 영역을 포함할 수 있다.
KSP 제안 키워드
AND operation, Bragg reflector, Distributed Bragg reflector, Operation method, Semiconductor lasers, tunable semiconductor laser
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 버스트 모드와 처프 개선된 파장가변 광원 및 동작방법 미국