등록
쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법
- 발명자
-
박동우, 박경현, 박정우, 이의수, 신준환, 최경선, 이일민, 김현수, 문기원
- 출원번호
-
10-2019-0044206 (2019.04.16)
KIPRIS
- 공개번호
-
10-2020-0121538 (2020.10.26)
- 등록번호
- 10-2371319-0000 (2022.03.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
-
18ZR1200, 지능형 전파센서 및 무선 에너지 전송 원천기술 개발,
이호진
- 초록
- 쇼트키 장벽 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 형성되는 제2 반도체층, 그리고 상기 제2 반도체층 위에 형성되어 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층을 포함하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋은 설정된 값보다 작게 설정된다.
- KSP 제안 키워드
- Schottky barriers(SBs), barrier diode, schottky barrier diode(SBD)
- 패밀리
-