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Registered 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법
- Application No.
- 10-2019-0044206 (2019.04.16) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2020-0121538 (2020.10.26)
- Registration No.
- 10-2371319-0000 (2022.03.02)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 18ZR1200, Development of intelligent radio wave sensor and wireless power tranfer technology, Lee Ho Jin
- Abstract
- 쇼트키 장벽 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 형성되는 제2 반도체층, 그리고 상기 제2 반도체층 위에 형성되어 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층을 포함하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋은 설정된 값보다 작게 설정된다.
- KSP Keywords
- Schottky barrier, barrier diode, schottky barrier diode(SBD)
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | SCHOTTKY BARRIER DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | UNITED STATES |