상세정보
등록 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법
- 출원번호
- 10-2019-0044206 (2019.04.16) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2020-0121538 (2020.10.26)
- 등록번호
- 10-2371319-0000 (2022.03.02)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 18ZR1200, 지능형 전파센서 및 무선 에너지 전송 원천기술 개발, 이호진
- 초록
- 쇼트키 장벽 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 형성되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 형성되는 제2 반도체층, 그리고 상기 제2 반도체층 위에 형성되어 쇼트키 장벽을 형성하는 금속층을 포함하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층의 전도대 오프셋은 설정된 값보다 작게 설정된다.
- KSP 제안 키워드
- Schottky barrier, barrier diode, schottky barrier diode(SBD)
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 고감도 테라헤르츠 검출을 위한 쇼트키 배리어 소자의 밴드 오프셋 최소화 | 미국 |