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Registered 전계효과 트랜지스터

전계효과 트랜지스터
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Inventors
최병건, 강성원, 강태욱, 박경환, 이재진, 박성모
Application No.
10-2019-0058000 (2019.05.17) KIPRIS
Publication No.
10-2020-0132449 (2020.11.25)
Registration No.
10-2456957-0000 (2022.10.17)
Country
KOREA
Project Code
18PB4800, Development of standalone and semipermanent power system independent on environment based on radioisotope technology, Choi Byounggun
Abstract
반도체층, 상기 반도체층 내의 채널 영역 상에 제공되는 게이트 전극, 및 상기 채널 영역과 인접하도록 상기 반도체층의 일면 상에 제공되되 상기 게이트 전극과 평면적으로 중첩되는 채널 조절부를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 제공하되, 상기 채널 조절부는 상기 채널 영역에 공핍층을 형성할 수 있다.
KSP Keywords
Field Effect Transistor(FET), field effect
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered FIELD EFFECT TRANSISTOR UNITED STATES