상세정보
등록 전계효과 트랜지스터
- 출원번호
- 10-2019-0058000 (2019.05.17) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2020-0132449 (2020.11.25)
- 등록번호
- 10-2456957-0000 (2022.10.17)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 18PB4800, 동위원소 기반 외부환경 독립형 반영구적 독립전원 시스템 개발, 최병건
- 초록
- 반도체층, 상기 반도체층 내의 채널 영역 상에 제공되는 게이트 전극, 및 상기 채널 영역과 인접하도록 상기 반도체층의 일면 상에 제공되되 상기 게이트 전극과 평면적으로 중첩되는 채널 조절부를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 제공하되, 상기 채널 조절부는 상기 채널 영역에 공핍층을 형성할 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- Field-effect transistors(FETs), field effect
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 베타방출 방사성 동위원소를 이용한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터 구조 | 미국 |