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Detail
Registered 전계효과 트랜지스터
- Application No.
- 10-2019-0058000 (2019.05.17) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2020-0132449 (2020.11.25)
- Registration No.
- 10-2456957-0000 (2022.10.17)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 18PB4800, Development of standalone and semipermanent power system independent on environment based on radioisotope technology, Choi Byounggun
- Abstract
- 반도체층, 상기 반도체층 내의 채널 영역 상에 제공되는 게이트 전극, 및 상기 채널 영역과 인접하도록 상기 반도체층의 일면 상에 제공되되 상기 게이트 전극과 평면적으로 중첩되는 채널 조절부를 포함하는 전계효과 트랜지스터를 제공하되, 상기 채널 조절부는 상기 채널 영역에 공핍층을 형성할 수 있다.
- KSP Keywords
- Field Effect Transistor(FET), field effect
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | FIELD EFFECT TRANSISTOR | UNITED STATES |