상세정보
등록 메모리 소자
- 발명자
- 출원번호
- 10-2020-0049565 (2020.04.23) KIPRIS
- 공개번호
- 10-2021-0028064 (2021.03.11)
- 등록번호
- 10-2599124-0000 (2023.11.01)
- 출원국
- 대한민국
- 협약과제
- 19HB1100, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
- 19PB4100, 양면발전 효율 8.5 % 및 투과도 20%를 갖고 다양한 색상 구현이 가능한 박막 실리콘 기반의 완전투광형 투명 태양전지 기술 개발, 임정욱
- 초록
- 본 발명의 실시예에 따른 메모리 소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 서로 이격되어 배치된 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴, 상기 제1 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 도전 패턴 및 상기 제2 도전 패턴을 연결하는 채널 패턴, 상기 채널 패턴과 상기 제1 절연막의 사이에 배치되며, 상기 제1 절연막에 비해 높은 수소 원자 함량비(atomic %)를 갖는 계면층을 포함할 수 있다.
- KSP 제안 키워드
- memory device
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 메모리 소자 | 대한민국 | KIPRIS |