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Detail
Registered 메모리 소자
- Inventors
- Application No.
- 10-2020-0049565 (2020.04.23) KIPRIS
- Publication No.
- 10-2021-0028064 (2021.03.11)
- Registration No.
- 10-2599124-0000 (2023.11.01)
- Country
- KOREA
- Project Code
- 19HB1100, Fundamental technologies of two-dimensional materials and devices for the platform of new-functional smart devices, Sun Jin Yun
- 19PB4100, Development of fully transparent bifacial and multi-colored solar cells based on silicon thin-film with 8.5 % efficiency and 20 % transmittance , Lim Jungwook
- Abstract
- 본 발명의 실시예에 따른 메모리 소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 서로 이격되어 배치된 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴, 상기 제1 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 도전 패턴 및 상기 제2 도전 패턴을 연결하는 채널 패턴, 상기 채널 패턴과 상기 제1 절연막의 사이에 배치되며, 상기 제1 절연막에 비해 높은 수소 원자 함량비(atomic %)를 갖는 계면층을 포함할 수 있다.
- KSP Keywords
- memory device
- Family
| Status | Patent | Country | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| Registered | 메모리 소자 | KOREA | KIPRIS |