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등록 메모리 소자 및 그 제조 방법

메모리 소자 및 그 제조 방법
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발명자
박배호, 윤성민, 임종필, 김정훈, 문승언, 강승열, 우지용, 윤찬수, 전지훈
출원번호
10-2020-0058889 (2020.05.18) KIPRIS
공개번호
10-2021-0054438 (2021.05.13)
등록번호
10-2430789-0000 (2022.08.04)
출원국
대한민국
협약과제
19ZB1800, 초박막 구조 기반 고성능 멤리스터 소자를 이용한 뉴로모픽 하드웨어 개발, 문승언
초록
본 발명은 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판; 상기 기판 상에 제공되며, 교대로 적층된 절연층들 및 하부 전극들을 포함하는 복수의 수직 구조체들, 상기 수직 구조체들은 상기 기판의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 정렬되고; 상기 수직 구조체들 각각의 상면 및 측면들 상에 제공되는 상부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 수직 구조체들 사이에 배치되며, 상기 수직 구조체들 각각의 상면 및 측면들을 덮는 제1 유전층을 포함하되, 상기 제1 유전층은 강유전 물질을 포함할 수 있다.
KSP 제안 키워드
memory device
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등록 선택소자 내장형 3차원 비휘발성 기억소자 구조 미국