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등록 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
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발명자
출원번호
10-2021-0018253 (2021.02.09) KIPRIS
공개번호
10-2022-0114795 (2022.08.17)
등록번호
10-2577787-0000 (2023.09.07)
출원국
대한민국
협약과제
20HB4100, 5G-PON망 상용 적용을 위한 마이크로 히터 장착 DBR-LD 칩의 파장가변 효율 향상기술 개발, 이철욱
20HH8100, 5G 기지국 프론트홀 기술 개발, 장순혁
20HB2600, 5G 이동통신 프런트홀망용 CWDM 1291nm 10Gbps 튜너블 트랜시버 개발 및 사업화, 권오기
초록
본 발명은 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법을 개시한다. 그의 다이오드는, 채널 홀을 갖는 DBR 영역, 활성 영역, 및 위상 조절 영역을 포함하는 기판과, 상기 기판 상에 제공되고, 상기 활성 영역에서부터 상기 DBR 영역까지 연장하는 광 도파로와, 상기 광 도파로 상에 배치된 하부 절연 층과, 상기 하부 절연 층 상에 배치된 상부 전극들과, 상기 DBR 영역의 상기 채널 홀 내에 배치되어 상기 광 도파로를 상기 기판으로부터 열적으로 분리시키는 열 차단 층을 포함한다.
KSP 제안 키워드
Laser diode(LD), Manufacturing method
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등록 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 대한민국 KIPRIS
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