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Registered method for fabricating terahertz device

테라헤르츠 소자의 제조 방법
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Inventors
Application No.
10-2021-0112023 (2021.08.25)
Publication No.
10-2458236 (2022.10.19)
Registration No.
10-2458236-0000 (2022.10.19)
Country
KOREA
Project Code
20ZH1100, 연결의 한계를 극복하는 초연결 입체통신 기술 연구, Byun Woo Jin
20ZB1100, Development of Creative Technology for ICT, Baek Yongsoon
Abstract
본 발명은 테라헤르츠 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 제조 방법은, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부 면에 도전성 불순물을 도핑하여 전극 층을 형성하는 단계와, 상기 전극 층을 패터닝하여 안테나 전극들을 형성하는 단계와, 상기 안테나 전극들 사이에 포토믹서를 형성하는 단계를 포함한다.
KSP Keywords
Terahertz device
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Status Patent Country KIPRIS
Registered method for fabricating terahertz device KOREA