Registered
게이트 올 어라운드 전계효과 트랜지스터 구조
- Inventors
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박정우, 서동우, 김상훈, 이왕주, 이성현, 김진하, 박재성, 손민균, 유의상, 박민아, 허수빈, 임종필, 정순규, 이송
- Application No.
- 2025-0160247 (2025.10.30)
- Registration No.
- 3040178 (2026.10.26)
- Country
- KOREA
- Project Code
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24ZS1200, Proprietary basic research on computing technology for the disruptive innovation of computational performance,
Youn Chun Ju
- KSP Keywords
- Field Effect Transistor(FET), Gate-all-around, field effect, transistor structure